Mosaic™ – плазменная резка
Плазменное разделение пластин на чипы с применением глубокого реактивно ионного травления (DRIE) – это быстро развивающаяся технология полупроводниковой промышленности, предоставляющая альтернативу традиционным методам разделения пластин на чипы, такие как дисковые пилы и лазеры.
Плазменная резка дает значимые преимущества:
- Позволяет разместить до 80% больше чипов на пластине
- Высокая скорость разделения чипов
- Прочность чипов увеличивается до 100%, что увеличивает выход годных
- Гибкость в разработке форм чипов.
Плазменная резка может проводиться перед утонением пластин. В этом случае сначала глубоко протравливаются линии реза, а затем чипы разделяются с помощью финальной операции утонения обратной стороны пластины.
Также плазменную резку можно применять после операции утонения. В этом случае DRIE используется для сквозного травления утоненных пластин, закрепленных с помощью ленты на рамки или на пластины-носители.
Плазменная резка совместима с припоем, металлизацией обратной стороны пластин.
Плазменной резка Mosaic™ успешно отработана в технологии “резка после утонения” на стандартных/утоненных/TAIKO пластинах и их кусочках с использованием широкого круга типов рамок для резки и типов лент.
Больше информации о плазменной резке
