Mosaic™ — плазменная резка

Плазменное разделение пластин на чипы с применением глубокого реактивно ионного травления (DRIE) — это быстро развивающаяся технология полупроводниковой промышленности,  предоставляющая альтернативу традиционным методам разделения пластин на чипы, такие как дисковые пилы и лазеры.

Плазменная резка дает значимые преимущества:

  • Позволяет разместить до 80% больше чипов на пластине
  • Высокая скорость разделения чипов
  • Прочность чипов увеличивается до 100%, что увеличивает выход годных
  • Гибкость в разработке форм чипов.

Плазменная резка может проводиться перед утонением пластин. В этом случае сначала глубоко протравливаются линии реза, а затем чипы разделяются с помощью финальной операции утонения обратной стороны пластины.

Также плазменную резку можно применять после операции утонения. В этом случае DRIE используется для сквозного травления утоненных пластин, закрепленных с помощью ленты на рамки или на пластины-носители.

Плазменная резка совместима с припоем, металлизацией обратной стороны пластин.

Плазменной резка Mosaic™ успешно отработана в технологии «резка после утонения» на стандартных/утоненных/TAIKO пластинах и их кусочках с использованием широкого круга типов рамок для резки и типов лент.

 

Больше информации о плазменной резке